CVD SiC Fin

Како што полупроводничките уреди продолжуваат да се развиваат кон помали геометрии и повисоки нивоа на интеграција, процесната опрема мора да работи под сè попребирливи услови. Плазма офорт, напредно таложење и производствени средини со висока температура ги изложуваат компонентите на комората на екстремен термички стрес, агресивни реактивни гасови и високоенергетско јонско бомбардирање.

За да одговори на овие предизвици, Semicorex нуди CVD SiC Fin, цврста компонента од силициум карбид со висока густина, произведена преку напредна технологија за хемиско таложење на пареа (CVD). За разлика од конвенционалните SiC облоги со тенок филм кои вообичаено мерат само неколку десетици или стотици микрони, CVD SiC Fin е значително подебела, целосно густа структура на силициум карбид со дебелини кои се движат од 500 μm до 10.000 μm.

Оваа уникатна конструкција овозможува супериорна издржливост, подолг работен век и исклучителни перформанси во некои од најсложените средини за обработка на полупроводници.

Што го прави CVD SiC Fin различен?

Многу полупроводнички компоненти за заштита се потпираат на графит обложен со SiC или облоги со тенок слој SiC. Иако овие решенија имаат добар ефект во услови на умерен процес, тешката изложеност на плазма и продолжените работни циклуси често бараат поцврст систем на материјали.

CVD SiC Fin се произведува како густо тело со силициум карбид со висока чистота наместо како обична површинска обвивка. Добиената структура обезбедува:

Значително поголема дебелина на материјалот

Повисок структурен интегритет

Супериорна отпорност на плазма ерозија

Подолг работен век

Подобрена димензионална стабилност

Намален ризик од контаминација

Комплексноста на производството на дебелиCVD SiC компонентие значително повисока од онаа на стандардните производи со тенок филм, особено кога се произведуваат сложени геометрии и прецизни карактеристики.

Структура со густа SiC со висока чистота

Процесот на таложење на CVD произведува исклучително густ и униформен материјал од силициум карбид со минимална порозност и извонредна чистота.

Главните карактеристики на материјалот вклучуваат:

• Состав со SiC со ултра висока чистота
• Висока густина и ниска порозност
• Одлична хемиска инертност
• Извонредна термичка стабилност
• Супериорна отпорност на корозија
• Екстремно ниско создавање на честички

Овие својства се клучни за средини за производство на полупроводници каде контаминацијата на процесот може директно да влијае на перформансите на уредот и приносот на производството.

Исклучителни перформанси во плазма средини

Современите процеси на офорт генерираат високореактивни плазма видови способни да ги напаѓаат конвенционалните материјали со текот на времето. Компонентите изложени на плазма мора да издржат континуирано бомбардирање додека ја одржуваат точноста на димензиите и интегритетот на површината.

CVD SiCFin обезбедува исклучителна отпорност на:

Плазма хемија базирана на флуор

Средини за офорт базирани на хлор

Бомбардирање со јони

Хемиска корозија

Термички велосипедизам

Неговата густа микроструктура значително ја намалува деградацијата на материјалот и помага да се одржат стабилни услови на процесот во текот на долгите производни циклуси.

Ова го прави материјалот особено вреден во напредното производство на интегрирани кола каде повторливоста на процесот и времето на работа на опремата се критични.

Дизајниран за апликации со ултра високи температури

Покрај плазма отпорот, CVD SiC Fin работи исклучително добро при екстремни термички услови.

Силициум карбид е познат по својата способност да ја задржи механичката сила и димензионалната стабилност на температури што би предизвикале многу конвенционални инженерски материјали.

Предностите вклучуваат:

• Одлична отпорност на термички шок
• Ниска термичка експанзија
• Високотемпературна механичка стабилност
• Отпорност на термичка деформација
• Долгорочна сигурност во сурови средини

Semicorex поседува техничка експертиза потребна за производство на CVD SiC компоненти во широк опсег на геометрии, вклучувајќи:

• Перки
• Прстени
  
• Штитови
• Фокусирајте ги компонентите
• Елементи за дистрибуција на гас
• Коморни облоги
• Прилагодени делови свртени кон плазма

Апликации во производството на полупроводници

Компонентите CVD SiC Fin се широко користени во опремата за производство на полупроводници, особено во областите изложени на агресивни услови на процесот.

Вообичаените апликации вклучуваат:

Системи за офорт со плазма

Комори за суво гравирање

Опрема за таложење на полупроводници

Производство на напредни логички уреди

Производство на мемориски уред

Енергетска полупроводничка обработка

Производство на сложени полупроводници