TaC облога

TaC керамиката има точка на топење до 3880°C, висока цврстина (Mohs цврстина 9-10), голема топлинска спроводливост (22W·m^-1· К⁻¹), голема јакост на свиткување (340-400MPa) и мал коефициент на термичка експанзија (6,6×10^-6K-1), и покажуваат одлична термохемиска стабилност и одлични физички својства, така што TaC облогите се широко користени во термичка заштита на воздушната, а графитот и композитите C/C имаат добра хемиска и механичка компатибилност. ), и покажуваат одлична термохемиска стабилност и одлични физички својства, а графитот и C/C композитите имаат добра хемиска компатибилност и механичка компатибилност, така што TaC облогите се широко користени во термичка заштита на воздушната, растот на еден кристал, енергија и електроника и медицински помагала, итн. Графитот обложен со TaC има подобра хемиска отпорност од голиот графит или графитот обложен со SiC и може да се користи стабилно на висока температура од 2600°. 2600 ° висока температурна стабилност, и многу метални елементи не реагираат, е третата генерација на полупроводнички единечни кристали и сценарија за офорт во најдобри перформанси на облогата, може значително да го подобри процесот на контрола на температурата и нечистотијата, подготовката на висока -квалитетни силициум карбид наполитанки и сродни епитаксијални наполитанки. Посебно е погодна за опремата MOCVD за одгледување единечни кристали GaN или AlN и опремата PVT за одгледување на единечни кристали SiC, а квалитетот на одгледуваните единечни кристали е значително подобрен.

Според резултатите од истражувањето,TaC облогата може да дејствува како заштитен и изолационен слој за да го продолжи животниот век на графитната компонента, да ја подобри радијалната температурна униформност, да ја одржува стехиометријата на сублимација на SiC, да ја потисне миграцијата на нечистотијата и да ја намали потрошувачката на енергија. На крајот на краиштата, се очекува сет од графитни садници обложени со TaC да ја подобри контролата на процесот на SiC PVT и квалитетот на производот.