Дома > Производи > Нафора > SiC супстрат

Производи

Кина SiC супстрат Производители, добавувачи, фабрика

Тенко парче полупроводнички материјал се нарекува нафора, која се состои од многу чист еднокристален материјал. Во процесот на Чохралски, цилиндричен ингот од високо чист монокристален полупроводник се прави со извлекување на семенски кристал од топење.


Силиконскиот карбид (SiC) и неговите политипови се дел од човечката цивилизација долго време; техничкиот интерес на ова тврдо и стабилно соединение беше реализирано во 1885 и 1892 година од страна на Cowless и Acheson за мелење и сечење цели, што доведе до негово производство во голем обем.


Одличните физички и хемиски својства го прават силициум карбидот (SiC) истакнат кандидат за различни примени, вклучително и уреди со висока температура, висока моќност и висока фреквенција и оптоелектронски уреди, структурна компонента во фузиските реактори, материјал за обложување за гасно ладење реактори за фисија и инертна матрица за трансмутација на Pu. Различни поли-типови на SiC како што се 3C, 6H и 4H се широко користени. Имплантацијата на јони е критична техника за селективно воведување на допанти за производство на уреди базирани на Si, за производство на наполитанки SiC од p-тип и n-тип.


Ингототпотоа се сече за да се формираат силициум карбид SiC обланди.


Својства на материјалот од силициум карбид

Политип

Еднокристално 4H

Кристална структура

Шестоаголна

Bandgap

3,23 eV

Топлинска спроводливост (n-тип; 0,020 оми-см)

a~4,2 W/cm • K @ 298 K

c~3,7 W/cm • K @ 298 K

Топлинска спроводливост (HPSI)

a~4,9 W/cm • K @ 298 K

c~3,9 W/cm • K @ 298 K

Параметри на решетка

a=3,076 Å

c=10,053 Å

Тврдост на Мохс

~ 9,2

Густина

3,21 g/cm3

Терми. Коефициент на проширување

4-5 x 10-6


Различни видови на наполитанки SiC

Постојат три вида:n-тип sic нафора, p-тип sic нафораиПолуизолациски сик нафора со висока чистота. Допингот се однесува на имплантација на јони што внесува нечистотии во силиконски кристал. Овие допанти им дозволуваат на атомите на кристалот да формираат јонски врски, правејќи го некогаш внатрешниот кристал надворешен. Овој процес воведува два типа на нечистотии; N-тип и P-тип. „Типот“ што ќе стане зависи од материјалите што се користат за создавање на хемиската реакција. Разликата помеѓу нафората SiC од N-тип и P-тип е примарен материјал што се користи за создавање на хемиска реакција за време на допингот. Во зависност од користениот материјал, надворешната орбитала ќе има или пет или три електрони што прават еден негативно наелектризиран (тип N) и еден позитивно наелектризиран (тип P).


Наполитанките SiC од типот N главно се користат во возила со нова енергија, пренос и трафостаница со висок напон, бела техника, брзи возови, мотори, фотоволтаични инвертери, пулсни напојувања итн. Тие имаат предности во намалување на загубата на енергија на опремата, подобрување доверливоста на опремата, намалувањето на големината на опремата и подобрувањето на перформансите на опремата и имаат незаменливи предности во правењето на моќни електронски уреди.


Полуизолацискиот SiC нафора со висока чистота главно се користи како подлога на RF уреди со висока моќност.


Епитаксија - III-V таложење на нитрид

Епитаксијални слоеви SiC, GaN, AlxGa1-xN и InyGa1-yN на SiC супстрат или подлога од сафир.






View as  
 
3C-SiC нафора подлога

3C-SiC нафора подлога

Подлогата за обланда Semicorex 3C-SiC е изработена од SiC со кубен кристал. Долги години сме производител и снабдувач на полупроводнички наполитанки. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер во Кина.

Прочитај повеќеИспрати барање
8 инчен N-тип SiC нафора

8 инчен N-тип SiC нафора

Semicorex обезбедува различни видови на 4H и 6H SiC наполитанки. Долги години сме производител и снабдувач на наполитанки. Нашиот 8-инчен N-тип SiC нафора има добра ценовна предност и покрива поголем дел од европскиот и американскиот пазар. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер во Кина.

Прочитај повеќеИспрати барање
4

4" 6" 8" N-тип SiC Ингот

Semicorex обезбедува SiC ингот од N-тип со 4 инчи, 6 инчи и 8 инчи. Долги години сме производител и снабдувач на наполитанки. Нашиот 4" 6" 8" N-тип SiC Ingot има добра ценовна предност и покрива поголем дел од европскиот и американскиот пазар. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгорочен партнер во Кина.

Прочитај повеќеИспрати барање
4

4" 6" полуизолациски SiC ингот со висока чистота

Semicorex обезбедува полуизолациски SiC ингот со висока чистота со 4 инчи и 6 инчи. Долги години сме производител и снабдувач на наполитанки. Нашиот 4" 6" полуизолациски SiC Ingot со висока чистота има добра ценовна предност и покрива поголем дел од европскиот и американскиот пазар. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер во Кина.

Прочитај повеќеИспрати барање
P-тип SiC супстрат нафора

P-тип SiC супстрат нафора

Semicorex обезбедува различни видови на 4H и 6H SiC наполитанки. Долги години сме производител и снабдувач на наполитанки. Нашата P-тип на SiC супстрат нафора има добра ценовна предност и покрива поголем дел од европскиот и американскиот пазар. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер во Кина.

Прочитај повеќеИспрати барање
6-инчен N-тип SiC нафора

6-инчен N-тип SiC нафора

Semicorex обезбедува различни видови на 4H и 6H SiC наполитанки. Долги години сме производител и снабдувач на наполитанки. Нашата двојно полирана 6-инчна N-тип SiC нафора има добра ценовна предност и покрива поголем дел од европскиот и американскиот пазар. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер во Кина.

Прочитај повеќеИспрати барање
Semicorex произведува SiC супстрат многу години и е еден од професионалните SiC супстрат производители и добавувачи во Кина. Откако ќе ги купите нашите напредни и издржливи производи кои обезбедуваат пакување на големо, ние гарантираме голема количина во брза испорака. Со текот на годините, на клиентите им обезбедивме приспособена услуга. Клиентите се задоволни од нашите производи и одличната услуга. Искрено очекуваме да станеме ваш сигурен долгорочен деловен партнер! Добредојдовте да купите производи од нашата фабрика.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept