8 инчен N-тип SiC нафора

Semicorex има комплетна линија производи на нафора од силициум карбид (SiC), вклучувајќи 4H и 6H супстрати со N-тип, P-тип и полуизолациони наполитанки со висока чистота, тие можат да бидат со или без епитаксии.

Нашиот 8 инчен N-тип SiC нафора е тип на висококвалитетна обланда направена од еден кристал силициум карбид со допинг од N-тип, кој е двојно полиран. Дизајниран за употреба во широк опсег на апликации, од енергетска електроника до уреди со висока фреквенција, оваа нафора е во првите редови на револуцијата на силициум карбид.

Материјалот SiC што се користи во оваа обланда може да се пофали со исклучителна топлинска спроводливост, овозможувајќи ефикасна дисипација на топлина и намалување на топлинската отпорност. Оваа карактеристика обезбедува сигурност и долготрајност на уредите кои работат на високи температури, што го прави совршен за опкружувања со тешки барања каде што робусноста е од клучно значење.

Понатаму, 8-инчниот N-тип SiC нафора нуди одлични електрични својства, како што се голема мобилност на носачот и мали загуби на енергија, што доведува до зголемени способности за управување со енергија и намалена потрошувачка на енергија. Овие атрибути го прават одличен избор за апликации за енергетска електроника, вклучувајќи инвертери, конвертори и моторни погони, каде што ефикасноста и доверливоста се најважни.