> Производи > Нафора > SiC супстрат > 4" 6" полуизолациски SiC ингот со висока чистота

Производи

Нови Продукти

4" 6" полуизолациски SiC ингот со висока чистота

Semicorex обезбедува полуизолациски SiC ингот со висока чистота со 4 инчи и 6 инчи. Долги години сме производител и снабдувач на наполитанки. Нашиот 4" 6" полуизолациски SiC Ingot со висока чистота има добра ценовна предност и покрива поголем дел од европскиот и американскиот пазар. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер во Кина.

Испрати барање

Опис на производот

Нашиот 4" 6" полуизолациски SiC Ingot со висока чистота има добра ценовна предност и покрива поголем дел од европскиот и американскиот пазар. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер во Кина.

4 инчен полуизолациски SiC ингот Спецификација
Предмети	Одделение за производство	Лажна оценка
Политип	4ч
Отпорност/ом ·cm	ТОА
Дијаметар	100,25±0,25 mm
Дебелина	≥15 mm
Грешка во ориентацијата на површината	0±0,2°
Примарна рамна ориентација	[1- 100]±5,0°
Примарна рамна должина	32,5±1,5 mm
Секундарен стан	90,0°CW од примарна ±5,0°, силикон свртен нагоре
Секундарна рамна должина	17±1,5 mm
Густина на микроцевката	≤1 ea/cm2	≤10 ea/cm2
Пукнатини на рабовите	≤3 од，≤1mm/ea	≤5 од，≤3mm/ea
Политипски области	Никој	≤5% површина
Вовлекувања на рабовите	≤3 ea, ≤1mm ширина и длабочина	≤5 ea, ≤2mm ширина и длабочина
Етикета	Ц-лице
Пакување	единица-ингот касета, вакуум пакување

6 инчен полуизолациски SiC ингот Спецификација
Предмети	Одделение за производство	Лажна оценка
Политип	4ч
Отпорност/ом ·cm	ТОА
Дијаметар	150,25±0,25 mm
Дебелина	≥10 mm
Грешка во ориентацијата на површината	0±0,25°
Ориентација со изрез	[1- 100]±5,0°
Длабочина на изрез	1~1,25 мм
Густина на микроцевката	≤1 ea/cm2	≤10 ea/cm2
Пукнатини на рабовите	≤3 од，≤1mm/ea	≤5 од，≤3mm/ea
Политипски области	Никој	≤5% површина
Вовлекувања на рабовите	≤3 ea, ≤1mm ширина и длабочина	≤5 ea, ≤2mm ширина и длабочина
Етикета	Ц-лице
Пакување	единица-ингот касета, вакуум пакување