Што е SiC епитаксија?

Епитаксијата со силициум карбид (SiC) е клучна технологија во областа на полупроводниците, особено за развој на електронски уреди со висока моќност. SiC е сложен полупроводник со широк опсег, што го прави идеален за апликации кои бараат работа со висока температура и висок напон.

SiC епитаксијата е процес на одгледување на тенок слој од кристален материјал на подлога, типично силициум, со користење на техники на хемиско таложење на пареа (CVD) или епитаксија со молекуларен зрак (MBE). Епитаксијалниот слој ја има истата кристална структура и ориентација како и подлогата, што овозможува формирање на висококвалитетен интерфејс помеѓу двата материјали.

Епитаксијата на SiC е широко користена во развојот на енергетската електроника, вклучувајќи уреди за напојување како што се диоди, транзистори и тиристори. Овие уреди се користат во широк опсег на апликации, како што се електрични возила, системи за обновлива енергија и напојувања.

Во последниве години, постои зголемен интерес за развој на SiC епитаксија за производство на уреди со висока моќност за апликации како што се електрични возила и системи за обновлива енергија. Побарувачката за овие уреди се очекува брзо да расте во наредните години, поттикната од потребата за поефикасни и одржливи енергетски системи.

Како одговор на ова барање, истражувачите и компаниите инвестираат во развојот на технологијата за епитаксии на SiC, со фокус на подобрување на квалитетот и намалување на цената на процесот. На пример, некои компании развиваат SiC епитаксија на поголеми подлоги за да ја намалат цената на нафора, додека други истражуваат нови техники за намалување на густината на дефектите.

SiC епитаксијата исто така се користи во развојот на напредни сензори за низа апликации, вклучително и сензори за гас, сензори за температура и сензори за притисок. SiC има уникатни својства што го прават идеален за овие апликации, како што се стабилност на висока температура и отпорност на сурови средини.