GaN епитаксија

Semicorex обезбедува прилагодена тенка фолија HEMT (галиум нитрид) GaN епитаксија на Si/SiC/GaN подлоги. Semicorex е посветена на обезбедување квалитетни производи по конкурентни цени, со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгорочен партнер во Кина.

Испрати барање

Опис на производот

Галиум нитрид GaN епитаксијата е полупроводнички материјал со широк опсег со одлични електрични и оптички својства, што го прави ветувачки кандидат за различни електронски и оптоелектронски уреди.

GaN епитаксијата го револуционизира развојот на уредите базирани на GaN, вклучувајќи електроника со висока моќност, осветлување во цврста состојба (LED) и уреди со висока фреквенција. Способноста да се одгледуваат висококвалитетни епитаксијални слоеви GaN со прецизна контрола врз својствата на материјалот значително ги подобри перформансите, ефикасноста и доверливоста на уредите GaN, придонесувајќи за напредок во различни индустрии, како што се електрониката за електрична енергија, телекомуникациите и потрошувачката електроника.