Хоризонтален брод со нафора SiC

Дефинитивна карактеристика на Semicorex Horizontal SiC Wafer Boat е неговата прецизно дизајнирана архитектура со дупчиња, специјално прилагодена за безбедно држење на наполитанки на место во текот на различни процеси на висока температура. Ова прецизно ограничување на нафора служи неколку критични функции:

Елиминација на движењето на нафора:Со спречување на несаканото лизгање или поместување, Horizontal SiC Wafer Boat обезбедува доследна изложеност на процесни гасови и температурни профили, придонесувајќи за високо униформна обработка на обландата и минимизирање на ризикот од дефекти.

Подобрена униформност на процесот:Конзистентното позиционирање на нафора директно се преведува на супериорна униформност во критичните параметри како што се дебелината на слојот, концентрациите на допинг и морфологијата на површината. Оваа прецизност е особено клучна во апликации како хемиско таложење на пареа (CVD) и дифузија, каде што дури и малите варијации можат значително да влијаат на перформансите на уредот.

Намалено оштетување на нафора:Безбедното држење на Horizontal SiC Wafer Boat го минимизира потенцијалот за сечење, кршење или гребење на нафората за време на ракувањето и транспортот, што е од суштинско значење за одржување на високи приноси и намалување на трошоците за производство.

Надвор од нивниот прецизен дизајн, Horizontal SiC Wafer Boat нуди привлечна комбинација на својства на материјалот што го прави идеален за производство на полупроводници и фотоволтаици:

Екстремна температурна отпорност: Horizontal SiC Wafer Boat покажува исклучителна цврстина и стабилност на високи температури, што му овозможува да ги издржи екстремните термички услови кои се среќаваат за време на процесите како што се растот на кристалите, жарењето и брзата термичка обработка (RTP) без деформација или деградација.

Ултра-висока чистота за контрола на контаминација:Употребата на SiC со висока чистота обезбедува минимално испуштање гасови или создавање на честички, зачувувајќи го интегритетот на чувствителните површини на обландите и спречувајќи ја контаминацијата што може да ја загрози работата на уредот.

Исклучителна хемиска стабилност:Вродената инертност на SiC го прави Хоризонталниот SiC нафора многу отпорен на напади од корозивни гасови и хемикалии кои вообичаено се користат во производството на полупроводници и фотоволтаични. Оваа силна хемиска стабилност обезбедува долг работен век и го минимизира ризикот од вкрстена контаминација помеѓу процесите.

Разновидноста и предностите на перформансите на Хоризонталниот SiC Wafer Boat доведоа до негово широко усвојување во низа критични процеси на производство на полупроводници и фотоволтаични:

Епитаксијален раст:Прецизното позиционирање на нафора и рамномерноста на температурата се клучни за постигнување висококвалитетни епитаксијални слоеви кај напредните полупроводнички уреди, што го прави Horizontal SiC Wafer Boat суштинска алатка за овој процес.

Дифузија и имплантација на јони:Точната контрола на допингот е најважна во дефинирањето на електричните карактеристики на полупроводничките уреди. Хоризонталниот SiC Wafer Boat обезбедува прецизно позиционирање на обландите за време на овие процеси, што доведува до подобрена униформност и перформанси на уредот.

Производство на соларни ќелии:Способностите за висока температура и хемиската отпорност на Horizontal SiC Wafer Boat го прават идеален за обработка на силиконски наполитанки кои се користат во фотоволтаичните ќелии, придонесувајќи за зголемена ефикасност и долговечност на системите за соларна енергија.