Монокристален силиконски епитаксијален сусцептор

Совршен за графитна епитаксија и процес на ракување со обланда, ултра-чистиот монокристален силиконски епитаксијален суцептор Semicorex обезбедува минимална контаминација и обезбедува исклучително долг животен век. Нашите производи имаат добра ценовна предност и покриваат многу европски и американски пазари. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер во Кина.

Испрати барање

Опис на производот

Semicorex Monocrystalline Silicon Epitaxial Susceptor е графитен производ обложен со високо прочистен SiC, кој има висока отпорност на топлина и корозија. Носачот обложен со силициум карбид CVD се користи во процесите кои го формираат епитаксијалниот слој на полупроводничките наполитанки, кој има висока топлинска спроводливост и одлични својства за дистрибуција на топлина.
Нашиот монокристален силиконски епитаксијален сусцептор е дизајниран да ја постигне најдобрата шема на ламинарен проток на гас, обезбедувајќи рамномерност на термичкиот профил. Ова помага да се спречи каква било контаминација или дифузија на нечистотии, обезбедувајќи висококвалитетен епитаксијален раст на чипот на нафора.
Контактирајте не денес за да дознаете повеќе за нашиот монокристален силиконски епитаксијален суцептор.

Параметри на монокристален силиконски епитаксијален сусцептор

Главни спецификации на CVD-SIC облогата
Својства на SiC-CVD
Кристална структура	Фаза FCC Î²
Густина	g/cm ³	3.21
Цврстина	Викерс цврстина	2500
Големина на зрно	¼ м	2~10
Хемиска чистота	%	99.99995
Топлински капацитет	J·kg-1·K-1	640
Температура на сублимација	℃	2700
Фелексурална сила	MPa (RT 4-точка)	415
Модул на Јанг	Gpa (свиткување од 4 точки, 1300)	430
Термичка експанзија (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Топлинска спроводливост	(W/mK)	300

Карактеристики на монокристален силиконски епитаксијален сусцептор

- И графитната подлога и слојот од силициум карбид имаат добра густина и можат да играат добра заштитна улога во високи температури и корозивни работни средини.
- Степенот обложен со силициум карбид кој се користи за раст на единечни кристали има многу висока плошност на површината.
- Намалете ја разликата во коефициентот на термичка експанзија помеѓу графитната подлога и слојот од силициум карбид, ефикасно да ја подобрите јачината на врзувањето за да спречите пукање и раслојување.
- И графитната подлога и слојот од силициум карбид имаат висока топлинска спроводливост и одлични својства за дистрибуција на топлина.
- Висока точка на топење, отпорност на висока температура на оксидација, отпорност на корозија.