Вовед во моќни уреди со силикон карбид

Силициум карбид (SiC)уредите за напојување се полупроводнички уреди направени од материјали од силициум карбид, кои главно се користат во електронски апликации со висока фреквенција, висока температура, висок напон и висока моќност. Во споредба со традиционалните уреди за напојување базирани на силициум (Si), уредите за напојување со силициум карбид имаат поголема ширина на бендот, поголемо електрично поле за критично распаѓање, поголема топлинска спроводливост и поголема брзина на заситени електрони, што ги прави да имаат голем потенцијал за развој и примена на теренот. на енергетската електроника.

Предности на уредите за моќност на SiC

1. Високо бенд: опсегот на SiC е околу 3,26eV, трипати поголем од силиконот, што им овозможува на уредите SiC да работат стабилно на повисоки температури и не се лесно погодени од средини со висока температура.

2. Електрично поле со висок дефект: Јачината на електричното поле на распаѓање на SiC е десет пати поголема од силиконот, што значи дека уредите со SiC можат да издржат повисоки напони без дефект, што ги прави многу погодни за апликации со висок напон.

3. Висока топлинска спроводливост: Топлинската спроводливост на SiC е три пати поголема од онаа на силициумот, што овозможува поефикасно дисипација на топлина, а со тоа ја подобрува доверливоста и животниот век на електричните уреди.

4. Висока брзина на поместување на електроните: Брзината на поместување на заситеноста на електроните на SiC е двапати поголема од силиконот, што ги прави уредите на SiC да работат подобро во апликации со висока фреквенција.

Класификација на силициум карбид моќ уреди

Според различни структури и апликации, уредите за напојување со силициум карбид можат да се поделат во следниве категории:

1. SiC диоди: главно вклучуваат Шотки диоди (SBD) и PIN диоди. SiC Schottky диодите имаат низок пад на напон и брзо обновување, погодни за апликации за конверзија на моќност со висока фреквенција и висока ефикасност.

2. SiC MOSFET: Тоа е уред за напојување контролиран од напон со слаб отпор на вклучување и карактеристики брзо префрлување. Широко се користи во инвертори, електрични возила, прекинувачки напојувања и други полиња.

3. SiC JFET: Има карактеристики на висок отпорен напон и голема брзина на префрлување, погодни за апликации за конверзија на моќност со висок напон и висока фреквенција.

4. SiC IGBT: Ја комбинира високата влезна импеданса на MOSFET и ниските карактеристики на отпорност на BJT, погодни за конверзија на моќност од среден и висок напон и погон на моторот.

Примени на силициум карбид моќ уреди

1. Електрични возила (EV): Во погонскиот систем на електричните возила, уредите SiC можат значително да ја подобрат ефикасноста на контролорите на моторот и инвертерите, да ја намалат загубата на моќност и да го зголемат опсегот на возење.

2. Обновливи извори на енергија: во системите за производство на соларна и ветерна енергија, уредите за моќност на SiC се користат во инвертерите за да се подобри ефикасноста на конверзија на енергија и да се намалат трошоците на системот.

3. Индустриско напојување: Во индустриските системи за напојување, SiC уредите можат да ја подобрат густината и ефикасноста на енергијата, да го намалат волуменот и тежината и да ги подобрат перформансите на системот.

4. Енергетска мрежа и пренос и дистрибуција: Во високонапонскиот пренос на директна струја (HVDC) и паметните мрежи, уредите за напојување со SiC можат да ја подобрат ефикасноста на конверзијата, да ја намалат загубата на енергија и да ја подобрат доверливоста и стабилноста на преносот на енергија.

5. Воздухопловна: Во воздушната област, SiC уредите можат стабилно да работат во средини со висока температура и високо зрачење и се погодни за клучни апликации како што се сателити и управување со енергија.

Semicorex нуди висок квалитетНаполитанки од силикон карбид. Ако имате какви било прашања или ви требаат дополнителни детали, не двоумете се да стапите во контакт со нас.

Контакт телефон +86-13567891907

Е-пошта: sales@semicorex.com