Infineon ја претстави првата 300mm Power GaN нафора во светот

Неодамна, Infineon Technologies го објави успешниот развој на првата светска технологија на галиум нитрид (GaN) со моќност од 300 mm. Ова ги прави првата компанија која ја совлада оваа револуционерна технологија и постигнува масовно производство во постојните производствени средини со големи размери и со голем капацитет. Оваа иновација означува значителен напредок на пазарот на енергетски полупроводници базиран на GaN.

Како технологијата од 300 мм се споредува со технологијата од 200 мм?

Во споредба со технологијата од 200 мм, користењето наполитанки од 300 мм овозможува производство на 2,3 пати повеќе GaN чипови по обланда, што значително ја зголемува ефикасноста и производството. Овој пробив не само што го консолидира лидерството на Infineon во полето на електроенергетските системи, туку и го забрзува брзиот развој на GaN технологијата.

Што рече извршниот директор на Infineon за ова достигнување?

Извршниот директор на Infineon Technologies Јохен Ханебек изјави: „Ова извонредно достигнување ја покажува нашата силна сила во иновациите и е доказ за немилосрдните напори на нашиот глобален тим. Цврсто веруваме дека овој технолошки пробив ќе ги преобликува индустриските норми и ќе го отклучи целосниот потенцијал на технологијата GaN. Речиси една година по нашето стекнување на GaN Systems, уште еднаш ја покажуваме нашата решеност да водиме на брзорастечкиот пазар GaN. Како лидер во електроенергетските системи, Infineon се здоби со конкурентна предност во три клучни материјали: силициум, силициум карбид и GaN.

Извршниот директор на Infineon, Јохен Ханебек, поседува една од првите наполитанки GaN Power од 300 мм во светот произведени во постоечка и скалабилна средина за производство со голем волумен

Зошто е поволна технологијата GaN од 300 mm?

Една значајна предност на 300mm GaN технологијата е тоа што може да се произведува со користење на постоечка опрема за производство на силикон од 300mm, бидејќи GaN и силиконот споделуваат сличности во производните процеси. Оваа функција му овозможува на Infineon беспрекорно да ја интегрира GaN технологијата во своите сегашни системи за производство, а со тоа да го забрза усвојувањето и примената на технологијата.

Каде Infineon успешно произведе 300mm GaN наполитанки?

Во моментов, Infineon успешно произведе 300mm GaN наполитанки на постоечките линии за производство на силикон од 300mm во својата електрана во Вилах, Австрија. Надоврзувајќи се на воспоставената основа на технологијата GaN од 200 mm и производството на силикон од 300 mm, компанијата дополнително ги прошири своите технолошки и производствени способности.

Што значи овој пробив за иднината?

Овој пробив не само што ги истакнува силните страни на Infineon во иновациите и производствените капацитети од големи размери, туку и поставува цврста основа за идниот развој на индустријата за енергетски полупроводници. Како што GaN технологијата продолжува да се развива, Infineon ќе продолжи да го поттикнува растот на пазарот, дополнително подобрувајќи ја својата лидерска позиција во глобалната индустрија за полупроводници.**