- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Вести
Краток вовед во процесот на изработка на нафора со SiC
Како незаменлив материјал за подлога во најсовремената индустрија за полупроводници, силициум карбидните наполитанки покажуваат одлични термички и електрични својства, со широки можности за примена во интегрирани електронски уреди со висока температура, висока фреквенција, висока моќност и отпорни н......
Прочитај повеќе
Материјал за топлинска изолација од јаглеродни влакна
Комбинацијата на мек филц и круто/ригидизирано филц во суштина вклучува балансирање на три работи: спроводливост на топлина (цврста/гасна фаза), радијативен пренос на топлина и структура и склопување. Фокусирањето само на еден индикатор (како што е топлинската спроводливост со најниска висока темпер......
Прочитај повеќе
Својства и полупроводнички апликации на силициум карбид керамика
Керамиката со силициум карбид е напреден керамички материјал кој се состои првенствено од јаглерод и силициум. Одликувајќи се со извонредни карактеристики на изведбата, силициум карбид-керамиката интензивно се користи во индустриите со висока класа, вклучувајќи механичка обработка, производство на п......
Прочитај повеќе
Кои се разликите помеѓу епитаксијата и CVD
Во процесот на таложење на тенок филм при производство на чипови, често се спомнуваат две технологии заедно, но сепак тие се фундаментално различни - епитаксија и хемиско таложење на пареа. Тие се како братучеди, и двајцата припаѓаат на семејството „растење на пареа“, но со посебни карактеристики и ......
Прочитај повеќе
Полупроводничка CVD SiC процесна технологија
Технологијата за процес на Chemical Vapor Deposition (CVD) SiC е од суштинско значење за производство на енергетска електроника со високи перформанси, овозможувајќи прецизен епитаксијален раст на слоевите силициум карбид со висока чистота на наполитанките од подлогата. Со искористување на широкиот о......
Прочитај повеќе
