SIC обложени фиоки за графит

Semicorex SIC обложени графитни ленти се напредни материјали дизајнирани специјално за барање на околини за епитаксичен раст. Во УВ-индустријата предводена од УВ, особено во измислицата на уреди со седиште во Алган, овие ленти играат клучна улога во обезбедувањето на униформа термичка дистрибуција, хемиска стабилност и долг животен век за време на процесите на метално-органска хемиска пареа (MOCVD).

Епитаксијалниот раст на алганските материјали претставува уникатни предизвици како резултат на високите температури на процесите, агресивните претходници и потребата за високо униформа таложење на филмот. Нашите SIC обложени графитни ленти се дизајнирани да ги исполнат овие предизвици со тоа што нудат одлична топлинска спроводливост, висока чистота и исклучителен отпор на хемиски напад. Графитското јадро обезбедува структурен интегритет и отпорност на термички шок, додека е густоSic облогаНуди заштитна бариера против реактивни видови како што се амонијак и метални-органски прекурсори.

SIC обложени графитни ленти често се користат како компонента за поддршка и загревање на единечни кристални подлоги во метална опрема за таложење на органска хемиска пареа (MOCVD). Топлинската стабилност, термичката униформност и другите параметри на перформанси на SIC обложени графитни ленти играат одлучувачка улога во квалитетот на растот на епитаксијалниот материјал, така што тоа е основната клучна компонента на опремата MOCVD.

Технологијата на метална органска хемиска пареа (MOCVD) во моментов е мејнстрим технологија за епитаксијален раст на GAN тенки филмови во LED диоди со сина светлина. Има предности на едноставно работење, контролирана стапка на раст и висока чистота на возрасните тенок филмови на ГАН. SIC обложените графитски ленти што се користат за епитаксијален раст на GAN тенки филмови, како важна компонента во комората за реакција на MOCVD опрема, треба да има предности на отпорност на висока температура, униформа термичка спроводливост, добра хемиска стабилност и силна отпорност на термички шок. Графитните материјали можат да ги исполнат горенаведените услови.

Како една од основните компоненти во опремата MOCVD,SIC обложен графитТревовите се носачот и грејниот елемент на подлогата на подлогата, кој директно ја одредува униформноста и чистотата на тенок филмски материјал. Затоа, неговиот квалитет директно влијае на подготовката на епитаксијални нафора. Во исто време, со зголемувањето на бројот на употреба и промени во работните услови, многу е лесно да се носат и солза, и тоа е потрошен.

Иако графитот има одлична термичка спроводливост и стабилност, што го прави добра предност како основна компонента на опремата MOCVD, за време на процесот на производство, графитот ќе биде кородиран и прашок заради преостаната корозивна гас и метална органска материја, што во голема мерка ќе го намали услужниот век на графитната база. Во исто време, паднатиот графит во прав ќе предизвика загадување на чипот.

Појавата на технологија за обложување може да обезбеди фиксација на површинскиот прав, да ја подобри термичката спроводливост и да ја разреше дистрибуцијата на топлина и да стане главна технологија за решавање на овој проблем. Основата на графит се користи во околината на опремата MOCVD, а површинската обвивка на графитната база треба да ги исполни следниве карактеристики:

(1) Може целосно да ја завитка графитската база и да има добра густина, во спротивно графитната база лесно се кородира во корозивен гас.

(2) Има голема јачина на сврзување со графитната база за да се осигури дека облогата не е лесно да се спушти откако ќе доживеете повеќе циклуси на висока температура и ниска температура.

(3) Има добра хемиска стабилност за да се избегне облогата да не успее во висока температура и корозивна атмосфера.

SIC има предности на отпорност на корозија, висока топлинска спроводливост, отпорност на термички шок и висока хемиска стабилност и може да работи добро во епитаксијалната атмосфера на ГАН. Покрај тоа, коефициентот на термичка експанзија на SIC е многу близу до оној на графит, така што Sic е најпосакуваниот материјал за површинска облога на графитната база.

Во моментов, обичниот SIC е главно 3C, 4H и 6H типови, а SIC со различни кристални форми има различни намени. На пример, 4H-SIC може да се користи за производство на уреди со голема моќност; 6H-SIC е најстабилен и може да се користи за производство на оптоелектронски уреди; 3C-SIC, заради неговата структура слична на GAN, може да се користи за производство на епитаксични слоеви на ГАН и производство на уреди Sic-GAN RF. 3C-SIC исто така обично се нарекува β-SIC. Важна употреба на β-SIC е како тенок филм и материјал за обложување. Затоа, β-SIC во моментов е главен материјал за обложување.