Производи
Рецептор SiC Epi-вафера
  • Рецептор SiC Epi-вафераРецептор SiC Epi-вафера
  • Рецептор SiC Epi-вафераРецептор SiC Epi-вафера
  • Рецептор SiC Epi-вафераРецептор SiC Epi-вафера
  • Рецептор SiC Epi-вафераРецептор SiC Epi-вафера
  • Рецептор SiC Epi-вафераРецептор SiC Epi-вафера

Рецептор SiC Epi-вафера

Semicorex е голем производител и добавувач на силикон карбид обложен графит сусцептор во Кина. Се фокусираме на полупроводничките индустрии како што се слоевите на силициум карбид и епитаксичните полупроводници. Нашиот SiC Epi-Wafer Susceptor има добра ценовна предност и покрива многу европски и американски пазари. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер.

Испрати барање

Опис на производот

Semicorex обезбедува SiC Epi-Wafer Susceptor обложен од MOCVD кој се користи за поддршка на наполитанки. Нивната графитна конструкција обложена со силициум карбид (SiC) со висока чистота обезбедува супериорна отпорност на топлина, дури и топлинска униформност за конзистентна дебелина и отпорност на слојот на епи, и издржлива хемиска отпорност. Финиот SiC кристален слој обезбедува чиста, мазна површина, критична за ракување, бидејќи беспрекорните наполитанки контактираат со сензорот на многу точки низ целата нивна површина.
Нашиот SiC Epi-Wafer Susceptor е дизајниран да ја постигне најдобрата шема на ламинарен проток на гас, обезбедувајќи рамномерност на термичкиот профил. Ова помага да се спречи каква било контаминација или дифузија на нечистотии, обезбедувајќи висококвалитетен епитаксијален раст на чипот на нафора.
Контактирајте не денес за да дознаете повеќе за нашиот SiC Epi-Wafer Susceptor.


Параметри на SiC Epi-Wafer Susceptor

Главни спецификации на CVD-SIC облогата

Својства на SiC-CVD

Кристална структура

FCC β фаза

Густина

g/cm ³

3.21

Цврстина

Викерс цврстина

2500

Големина на зрно

μm

2~10

Хемиска чистота

%

99.99995

Топлински капацитет

J kg-1 K-1

640

Температура на сублимација

2700

Фелексурална сила

MPa (RT 4-точка)

415

Модул на Јанг

Gpa (свиткување 4 точки, 1300℃)

430

Термичка експанзија (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Топлинска спроводливост

(W/mK)

300


Карактеристики на SiC Epi-Wafer Susceptor

Графит обложен со SiC со висока чистота
Супериорна отпорност на топлина и топлинска униформност
Фин SiC кристал обложен за мазна површина
Висока издржливост против хемиско чистење
Материјалот е дизајниран така што да не се појавуваат пукнатини и раслојување.




Жешки тагови: SiC Epi-Wafer Susceptor, Кина, производители, добавувачи, фабрички, приспособени, масовно, напредни, издржливи
Поврзана категорија
Испрати барање
Ве молиме слободно дајте го вашето барање во формата подолу. Ќе ви одговориме за 24 часа.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept