SICOI нафора

НИЕ СМЕнафорае композитен полупроводнички материјал со трислојна структура кој е направен со уникатен метод.

Долниот слој на структурата на обландата SICOI е силиконска подлога, која обезбедува сигурна механичка поддршка за да се обезбеди структурна стабилност на нафората SICOI. Неговата оптимална топлинска спроводливост го намалува влијанието на акумулацијата на топлина врз перформансите на полупроводничките уреди, овозможувајќи им да работат нормално долго време дури и при висока моќност. Дополнително, силиконската подлога е компатибилна со опремата и машините што се користат во моменталното производство на полупроводници. Ова успешно ги намалува производните трошоци и сложеноста, а истовремено го забрзува истражувањето и развојот на производите и масовното производство.

Сместено помеѓу силиконската подлога и слојот на уредот SiC, изолациониот оксиден слој е средниот слој на нафора SICOI. Со изолирање на струјните патеки помеѓу горните и долните слоеви, изолациониот оксиден слој ефикасно го намалува ризикот од кратки споеви и гарантира стабилни електрични перформанси на полупроводничките уреди. Поради неговата ниска карактеристика на апсорпција, може значително да го намали оптичкото расејување и да ја подобри ефикасноста на пренос на оптички сигнал на полупроводничките уреди.

Слојот на уредот со силикон карбид е основниот функционален слој на структурата на обландата SICOI. Неопходно е за постигнување електронски, фотонски и квантни функции со високи перформанси поради неговата исклучителна механичка сила, високиот индекс на прекршување, малата оптичка загуба и извонредната топлинска спроводливост.

Апликациите на наполитанките SICOI:

1.За производство на нелинеарен оптички уред како чешел со оптичка фреквенција.

2.За производство на интегрирани фотонски чипови.

3.За производство на електро-оптички модулатор

4. За производство на моќни електронски уреди, како што се прекинувачи за напојување и RF уреди.

5. За производство на MEMS сензор како акцелерометар и жироскоп.