Рецептор Epi-SiC

Semicorex Epi-SiC Susceptor, спој на издржливост на висока температура, хемиска инертност и супериорна термичка дифузија, тој стои како парагон на еластичност и ефикасност наспроти интензивните услови синоним за напорите за епитаксијален раст. Примената на SiC облога значително ги зголемува топлинските атрибути на Epi-SiC Susceptor. Ова подобрување ја олеснува униформната топлинска дистрибуција од суштинско значење за загревањето на обландите, клучна за таложење на конзистентни, висококвалитетни епитаксијални слоеви низ полупроводничките обланди.

Скроен за да ги задоволи строгите барања на епитаксијалните процеси на нафора, Epi-SiC Susceptor го поткрепува беспрекорниот транспорт на наполитанки во околината на печката. Неговиот робустен дизајн е бедем против поместување или компромис на нафора, а со тоа ја ублажува инциденцата на оштетување низ критичните фази на развојот на епитаксијалниот слој. Дополнително, Epi-SiC Susceptor делува како заштитна бариера за графитната подлога одоздола, заштитувајќи ја од хемиските интеракции и абразијата што би можеле да ги предизвикаат епитаксијалните процеси.

Спојувањето на еластичното графитно јадро со заштитната обвивка на SiC не само што ги зајакнува карактеристиките на перформансите на Epi-SiC Susceptor, туку и значително го продолжува неговиот век на употреба. Резултатот е инвестиција која дава дивиденди во форма на одржливи оперативни заштеди за претпријатијата за производство на полупроводници, позиционирајќи го Epi-SiC Susceptor како разумен избор за оние кои сакаат да ги оптимизираат нивните производствени операции.