ГаН-он-Си Епи нафора Чак

Semicorex GaN-on-Si Epi Wafer Chuck е составен дел на производството на полупроводници, овозможувајќи стабилна и сигурна поддршка за време на критичните процеси како што се таложење, офорт и литографија. GaN-on-Si Epi Чак за нафора обезбедува ефикасна дисипација на топлина, одржувајќи рамномерна распределба на температурата низ обландата за да се спречат термички градиенти кои можат да предизвикаат дефекти. GaN-on-Si Epi нафора Чак е достапен во различни големини и конфигурации за да се приспособат на различни димензии на нафора и барања за обработка, нудејќи флексибилност за различни потреби за производство на полупроводници.

Апликации:

Епитаксијален раст: GaN-on-Si Epi нафора Чак обезбедува стабилна платформа за раст на висококвалитетни GaN слоеви на силиконски подлоги, GaN-on-Si Epi нафора Чак е од суштинско значење за електронски и оптоелектронски уреди со високи перформанси.

Офорт и таложење: Олеснува еднообразно отстранување или таложење на материјалот, клучно за постигнување на саканите структурни и електрични својства на уредите.

GaN-on-Si Epi Wafer Chuck е незаменлива алатка за производителите на полупроводници кои имаат за цел да произведуваат врвни уреди базирани на GaN, нудејќи неспоредливи перформанси во прецизност, стабилност и издржливост.