Комора за реакција на полумесечината LPE

Епитаксијалниот процес се случува во комората за реакција на полумесечината LPE, каде што подлогите се изложени на екстремни услови кои вклучуваат високи температури и корозивни гасови. За да се обезбеди долговечност и перформанси на компонентите на комората за реакција, се применуваат премази SiC со хемиско таложење на пареа (CVD):

Детални апликации:

Сензиптори и носачи на нафора:

Примарна улога:

Подлошките и носачите на нафора се критични компоненти кои безбедно ги држат подлогите за време на процесот на епитаксијален раст во комората за реакција на полумесечината LPE. Тие играат клучна улога во обезбедувањето дека подлогите се подеднакво загреани и изложени на реактивни гасови.

Предности на CVD SiC облогата:

Топлинска спроводливост:

Облогата SiC ја подобрува топлинската спроводливост на сензорот, осигурувајќи дека топлината е рамномерно распоредена низ површината на обландата. Оваа униформност е од суштинско значење за постигнување конзистентен епитаксијален раст.

Отпорност на корозија:

Облогата SiC го заштитува суцепторот од корозивни гасови како што се водород и хлорирани соединенија, кои се користат во процесот на CVD. Оваа заштита го продолжува животниот век на суцепторот и го одржува интегритетот на епитаксијалниот процес во комората за реакција на полумесечината LPE.

Ѕидови на комората за реакција:

Примарна улога:

Ѕидовите на комората за реакција ја содржат реактивната средина и се изложени на високи температури и корозивни гасови за време на процесот на епитаксијален раст во комората за реакција на полумесечината LPE.

Предности на CVD SiC облогата:

Трајност:

SiC облогата на LPE Halfmoon Reaction Chamber значително ја подобрува издржливоста на ѕидовите на комората, заштитувајќи ги од корозија и физичко абење. Оваа издржливост ја намалува фреквенцијата на одржување и замена, а со тоа ги намалува оперативните трошоци.

Превенција од контаминација:

Со одржување на интегритетот на ѕидовите на комората, облогата SiC го минимизира ризикот од контаминација од материјалите што се распаѓаат, обезбедувајќи чиста средина за обработка.

Клучни придобивки:

Подобрен принос:

Со одржување на структурниот интегритет на наполитанките, комората за реакција на полумесечината LPE поддржува повисоки стапки на принос, што го прави процесот на производство на полупроводници поефикасен и исплатлив.

Структурна издржливост:

SiC облогата на комората за реакција на полумесечината LPE значително ја подобрува механичката цврстина на графитната подлога, правејќи ги носачите на нафора поробусни и способни да ги издржат механичките напрегања при повторено термичко цикирање.

Долговечност:

Зголемената механичка сила придонесува за севкупната долговечност на комората за реакција на полумесечината LPE, намалувајќи ја потребата од чести замени и дополнително намалувајќи ги оперативните трошоци.

Подобрен квалитет на површината:

Облогата SiC резултира со помазна површина во споредба со голиот графит. Оваа мазна завршница го минимизира создавањето на честички, што е од клучно значење за одржување на чиста средина за обработка.

Намалување на контаминација:

Помазната површина го намалува ризикот од контаминација на нафората, обезбедувајќи ја чистотата на полупроводничките слоеви и подобрувајќи го севкупниот квалитет на финалните уреди.

Чиста средина за обработка:

Semicorex LPE Halfmoon Reaction Chamber генерира значително помалку честички од необложениот графит, што е од суштинско значење за одржување на средина без контаминација во производството на полупроводници.

Повисоки стапки на принос:

Намалената контаминација со честички доведува до помалку дефекти и повисоки стапки на принос, кои се критични фактори во висококонкурентната индустрија за полупроводници.