МОЦВД Грејач

Овој грејач е конструиран од графит со висока чистота, со прецизно контролирани нивоа на нечистотии на помалку од 5 делови на милион (ppm). Графитот потоа се обложува со хемиско таложење на пареа (CVD) силициум карбид (SiC), со ниво на чистота што надминува 99,99995%. Оваа комбинација на материјали му дава на грејачот уникатен сет на својства кои се неопходни за постигнување оптимални перформанси во процесите на метално-органско хемиско таложење на пареа (MOCVD).

Една од највпечатливите карактеристики на грејачот Semicorex MOCVD е неговата исклучителна хемиска чистота. Графитното јадро со висока чистота значително го минимизира внесувањето на загадувачи за време на процесите на висока температура, обезбедувајќи таложење на ултра чисти тенки слоеви. CVD SiC облогата дополнително ја подобрува оваа чистота, обезбедувајќи цврста бариера против хемиските интеракции кои би можеле да го загрозат интегритетот на депонираните слоеви. Ова високо ниво на хемиска чистота е од клучно значење за производство на полупроводнички уреди со супериорни перформанси и доверливост.

Покрај тоа, грејачот е многу робустен и термички ефикасен, способен да ги издржи екстремните термички услови типични за MOCVD процесите. Вродените својства на SiC, како што се неговата висока точка на топење и топлинска спроводливост, придонесуваат за способноста на грејачот ефикасно да управува и да ја дистрибуира топлината. Оваа термичка ефикасност обезбедува подеднакво загревање низ подлогата, што е од суштинско значење за постигнување хомогено таложење на филмот и минимизирање на термичките градиенти кои можат да доведат до дефекти.

Електричната спроводливост е уште една област каде што се истакнува грејачот Semicorex MOCVD. Графитното јадро со висока чистота обезбедува одлична електрична спроводливост, овозможувајќи му на грејачот лесно да се справува со високи електрични оптоварувања. Оваа способност е особено важна во MOCVD процесите кои бараат прецизна контрола на температурата и стапките на таложење. Способноста на грејачот да одржува стабилни електрични перформанси при високи оптоварувања обезбедува постојани и репродуктивни услови на процесот, кои се од витално значење за производство на полупроводници со висок принос.

Рамната површина на грејачот е прецизно дизајнирана да обезбеди поголема емисионост кон подлогата, зголемувајќи ја ефикасноста на радијативниот пренос на топлина. Оваа дизајнерска карактеристика осигурува дека подлогата добива рамномерно загревање, што е критично за постигнување висококвалитетни тенки фолии со постојана дебелина и својства. Површината со висока емисионост, исто така, придонесува за вкупната топлинска ефикасност на грејачот, намалувајќи ја потрошувачката на енергија и оперативните трошоци.

Во однос на издржливоста, грејачот Semicorex MOCVD нуди исклучителна отпорност на корозија, неоксидираност и висока механичка сила. CVD SiC облогата обезбедува робустен заштитен слој кој се спротивставува на корозивни гасови и хемикалии кои вообичаено се среќаваат во процесите на MOCVD. Оваа отпорност на корозија го продолжува работниот век на грејачот, намалувајќи ги трошоците за одржување и замена. Неоксидабилноста на грејачот гарантира дека тој останува стабилен и не се распаѓа дури и при високи температури, зачувувајќи ги неговите перформанси и структурен интегритет во долги периоди на работа.

Конечно, високата механичка сила на грејачот гарантира дека може да ги издржи физичките напрегања поврзани со термичкиот циклус и ракувањето со подлогата. Оваа робусност го минимизира ризикот од механички дефекти, обезбедувајќи сигурна и континуирана работа.