- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Вести од индустријата
Супстрат од силициум карбид
Процесот на супстрат од силициум карбид е сложен и тежок за производство. Супстратот SiC ја зазема главната вредност на синџирот на индустријата, со 47%. Се очекува со проширување на производствените капацитети и подобрување на приносот во иднина тој да падне на 30%.
Прочитај повеќе
Разбирање на технологијата за суво офорт во индустријата на полупроводници
Во моментов, многу полупроводнички уреди користат структури на меса уреди, кои претежно се создаваат преку два вида офорт: влажно офорт и суво офорт. Додека едноставното и брзо влажно офорт игра значајна улога во изработката на полупроводнички уреди, има инхерентни недостатоци како што се изотропнот......
Прочитај повеќе
Вовед во моќни уреди со силикон карбид
Уредите за напојување со силициум карбид (SiC) се полупроводнички уреди направени од материјали од силициум карбид, главно користени во електронски апликации со висока фреквенција, висока температура, висок напон и висока моќност. Во споредба со традиционалните уреди за напојување базирани на силици......
Прочитај повеќе
Тешкотии во подготовката на GaN
Како полупроводнички материјал од третата генерација, галиум нитрид често се споредува со силициум карбид. Галиум нитрид сè уште ја демонстрира својата супериорност со својот голем пропуст, високиот пробивен напон, високата топлинска спроводливост, високата брзина на заситени електрони и силна отпор......
Прочитај повеќе
Вовед во полупроводници од трета генерација: GaN и сродни епитаксијални технологии
Материјалите на GaN добија важност по доделувањето на Нобеловата награда за физика во 2014 година за сини LED диоди. Првично влегувајќи во очите на јавноста преку апликациите за брзо полнење во електрониката за широка потрошувачка, засилувачите на енергија базирани на GaN и RF уредите, исто така, ти......
Прочитај повеќе
