Процесот на супстрат од силициум карбид е сложен и тежок за производство. Супстратот SiC ја зазема главната вредност на синџирот на индустријата, со 47%. Се очекува со проширување на производствените капацитети и подобрување на приносот во иднина тој да падне на 30%.
Прочитај повеќеВо моментов, многу полупроводнички уреди користат структури на меса уреди, кои претежно се создаваат преку два вида офорт: влажно офорт и суво офорт. Додека едноставното и брзо влажно офорт игра значајна улога во изработката на полупроводнички уреди, има инхерентни недостатоци како што се изотропнот......
Прочитај повеќеКерамиката со силициум карбид нуди бројни предности во индустријата за оптички влакна, вклучувајќи стабилност на висока температура, низок коефициент на термичка експанзија, низок праг на загуба и оштетување, механичка сила, отпорност на корозија, добра топлинска спроводливост и ниска диелектрична к......
Прочитај повеќеУредите за напојување со силициум карбид (SiC) се полупроводнички уреди направени од материјали од силициум карбид, главно користени во електронски апликации со висока фреквенција, висока температура, висок напон и висока моќност. Во споредба со традиционалните уреди за напојување базирани на силици......
Прочитај повеќе