Вести

TSMC: 2nm процесно пробно производство со ризик следната година

Во нивниот новообјавен годишен извештај, претседателот на TSMC Дејин Лиу и извршниот директор Чие-Џиа Веи го открија напредокот поврзан со процесот на 2nm.

Апликативни сценарија за епитаксијални слоеви

Знаеме дека треба да се изградат понатамошни епитаксијални слоеви врз некои подлоги за обланда за изработка на уреди, типично LED уреди што емитуваат светлина, за кои се потребни GaAs епитаксијални слоеви на врвот на силиконските подлоги; Епитаксијалните слоеви на SiC се одгледуваат на врвот на спро......

Дискусија за CVD печка

Кина остана најголемиот пазар на полупроводничка опрема

Светската продажба на опрема за производство на полупроводници се зголеми за 5 отсто од 102,6 милијарди долари во 2021 година на рекорд на сите времиња од 107,6 милијарди долари минатата година, SEMI, индустриската асоцијација што го претставува глобалниот синџир на снабдување за дизајн и производст......

CVD процес за епитаксија на нафора со SiC

Процесот на CVD за епитаксијата на нафора со SiC вклучува таложење на SiC филмови на SiC подлога со помош на реакција во гасна фаза. Гасовите прекурсори на SiC, обично метилтрихлоросилан (MTS) и етилен (C2H4), се внесуваат во комората за реакција каде што подлогата на SiC се загрева на висока темпер......

Јапонија неодамна го ограничи извозот на 23 типа опрема за производство на полупроводници

Јапонија неодамна го ограничи извозот на 23 типа опрема за производство на полупроводници. Најавата испрати бранувања низ индустријата, бидејќи се очекува овој потег да има значително влијание врз глобалните синџири на снабдување за производство на полупроводници.