Производи

View as

SiC графитна RTP носачка плоча за MOCVD

Semicorex SiC Graphite RTP носачката плоча за MOCVD нуди супериорна отпорност на топлина и топлинска униформност, што го прави совршено решение за апликации за обработка на полупроводнички нафора. Со висококвалитетен графит обложен со SiC, овој производ е дизајниран да ја издржи најтешката средина за таложење за епитаксијален раст. Високата топлинска спроводливост и одличните својства на дистрибуција на топлина обезбедуваат сигурни перформанси за RTA, RTP или грубо хемиско чистење.

Прочитај повеќе Испрати барање

RTP носач за MOCVD епитаксијален раст

Semicorex RTP Носач за MOCVD Epitaxial Growth е идеален за апликации за обработка на нафора со полупроводници, вклучувајќи епитаксијален раст и обработка на обланда. Јаглеродните графитни сусцептори и кварцните садници се обработуваат од MOCVD на површината на графит, керамика итн. Нашите производи имаат добра ценовна предност и покриваат многу европски и американски пазари. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер во Кина.

Прочитај повеќе Испрати барање

Графитно буре обложено со силикон карбид

Графитното буре обложено со силикон карбид Semicorex е совршен избор за апликации за производство на полупроводници кои бараат висока отпорност на топлина и корозија. Неговата исклучителна топлинска спроводливост и својства за дистрибуција на топлина го прават идеален за употреба во процесите на LPE и други средини со висока температура.

Прочитај повеќе Испрати барање

<1 >

Дали сакате да купите напредни и издржливи SiC-Graphite-Susceptors? Semicorex е дефинитивно вашиот добар избор. Познати сме како еден од најконкурентните SiC-Graphite-Susceptors производители и добавувачи во Кина. Обезбедуваме и рефус пакување. Можеби ќе ви требаат некои приспособени услуги за да ги задоволите реалните потреби на вашиот регион, можете да ни оставите порака преку информациите за контакт на веб-страницата. Искрено ги поздравуваме новите и старите клиенти да ја посетат нашата фабрика за консултации и преговори.