Дома > Производи > Обложено со силициум карбид > RTP превозник > RTP носач за MOCVD епитаксијален раст
Производи
RTP носач за MOCVD епитаксијален раст

RTP носач за MOCVD епитаксијален раст

Semicorex RTP Носач за MOCVD Epitaxial Growth е идеален за апликации за обработка на полупроводнички нафора, вклучувајќи епитаксијален раст и обработка на обланда. Јаглеродните графитни сусцептори и кварцните садници се обработуваат од MOCVD на површината на графит, керамика итн. Нашите производи имаат добра ценовна предност и покриваат голем дел од европскиот и американскиот пазар. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер во Кина.

Испрати барање

Опис на производот

Semicorex обезбедува RTP носач за MOCVD Epitaxial Growth кој се користи за поддршка на наполитанки, кој е навистина стабилен за RTA, RTP или грубо хемиско чистење. Во сржта на процесот, епитаксичните сусцептори, најпрво се подложени на околината за таложење, така што има висока отпорност на топлина и корозија. Носачот обложен со SiC, исто така, има висока топлинска спроводливост и одлични својства за дистрибуција на топлина.
Нашиот RTP носач за MOCVD епитаксијален раст е дизајниран да го постигне најдобриот модел на ламинарен проток на гас, обезбедувајќи рамномерност на термичкиот профил. Ова помага да се спречи каква било контаминација или дифузија на нечистотии, обезбедувајќи висококвалитетен епитаксијален раст на чипот на нафора.
Контактирајте со нас денес за да дознаете повеќе за нашиот RTP носач за MOCVD Epitaxial Growth.


Параметри на RTP носач за MOCVD Epitaxial Growth

Главни спецификации на CVD-SIC облогата

Својства на SiC-CVD

Кристална структура

FCC β фаза

Густина

g/cm ³

3.21

Цврстина

Викерс цврстина

2500

Големина на зрно

μm

2~10

Хемиска чистота

%

99.99995

Топлински капацитет

J kg-1 K-1

640

Температура на сублимација

2700

Фелексурална сила

MPa (RT 4-точка)

415

Модул на Јанг

Gpa (свиткување 4 точки, 1300℃)

430

Термичка експанзија (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Топлинска спроводливост

(W/mK)

300


Карактеристики на RTP Носач за MOCVD Epitaxial Growth

Графит обложен со SiC со висока чистота
Супериорна отпорност на топлина и топлинска униформност
Фин SiC кристал обложен за мазна површина
Висока издржливост против хемиско чистење
Материјалот е дизајниран така што да не се појавуваат пукнатини и раслојување.





Жешки тагови: RTP носач за MOCVD епитаксиален раст, Кина, производители, добавувачи, фабрички, приспособени, масовно, напредни, издржливи
Поврзана категорија
Испрати барање
Ве молиме слободно дајте го вашето барање во формата подолу. Ќе ви одговориме за 24 часа.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept