Епитаксиа обложена со SiC

Semicorex SiC обложениот епитаксиски диск има низа неспоредливи предности во индустријата за полупроводници, кои понатаму може да се елаборираат на следниов начин:

Низок коефициент на термичка експанзија: Епитаксичниот диск обложен со SiC може да се пофали со значително низок коефициент на термичка експанзија, што е критично во полупроводничката обработка каде што стабилноста на димензиите е од суштинско значење. Овој атрибут осигурува дека Епитаксискиот диск со обложен SiC претрпува минимално проширување или контракција при температурни варијации, одржувајќи го интегритетот на полупроводничката структура за време на процесите на висока температура.

Отпорност на оксидација на висока температура: Конструиран со извонредна отпорност на оксидација, овој епитаксиен диск обложен со SiC го задржува својот структурен интегритет при покачени температури, што го прави идеална компонента за апликации во полупроводнички процеси на високи температури каде што термичката стабилност е од клучно значење.

Густа и ситно-порозна површина: Површината на Епитаксичниот диск обложен со SiC се карактеризира со својата густина и фина порозност, што обезбедува оптимална текстура на површината за прилепување на различни облоги и обезбедува ефективно отстранување на материјалот за време на обработката на полупроводнички обланда без оштетување на деликатната површина.

Висока цврстина: Облогата му дава високо ниво на цврстина на графитниот диск, кој е отпорен на гребење и абење, со што се продолжува работниот век на SiC обложениот епитакси диск и се намалува фреквенцијата на замена во средини за производство на полупроводници.

Отпорност на киселини, бази, соли и органски реагенси: CVD SiC облогата на Epitaxy дискот обложена со SiC нуди одлична отпорност на широк спектар на корозивни агенси, вклучувајќи киселини, бази, соли и органски реагенси, што го прави погоден за употреба во средини каде што хемиската изложеност е загрижувачка, а со тоа ја зголемува доверливоста и долговечноста на опремата.

Бета-SiC површински слој: Површинскиот слој SIC (Силициум карбид) на SiC обложениот епитаксиски диск се состои од бета-SiC, кој има кристална структура во центарот на лицето кубни (FCC). Оваа кристална структура придонесува за исклучителните механички и термички својства на облогата, нудејќи супериорна цврстина и топлинска спроводливост на дискот, што е од суштинско значење за опремата за обработка на полупроводници.