Кина Силициум карбид (SiC) Производители, добавувачи, фабрика

Силикон карбид керамика (SiC) е напреден керамички материјал кој содржи силициум и јаглерод. Зрната силициум карбид може да се поврзат заедно со синтерување за да формираат многу тврда керамика. Semicorex обезбедува прилагодена керамика од силициум карбид по ваша потреба.

Апликации

Кај керамиката со силициум карбид, својствата на материјалот остануваат константни до температури над 1.400°C. Високиот Young's модул > 400 GPa обезбедува одлична димензионална стабилност.

Типична примена за компонентите на силициум карбид е технологијата за динамично запечатување со користење на триење лежишта и механички заптивки, на пример во пумпи и погонски системи.

● Ракав на оската  →

● Шутка  →    

● Механичка заптивка  →

Со напредните својства, керамиката со силициум карбид е исто така идеална за употреба во индустријата за полупроводници.

● Носач за обланда  →  

● Брод со нафора  →  

Чамци со нафора →
Semicorex Wafer Boat е изработен од синтерувана силициум карбид керамика, која има добра отпорност на корозија и одлична отпорност на високи температури и термички шок. Напредната керамика обезбедува одлична термичка отпорност и издржливост на плазмата додека ги ублажува честичките и загадувачите за носачите на нафора со висок капацитет.

Реакција синтеруван силициум карбид

Во споредба со другите процеси на синтерување, промената на големината на реакциското синтерување за време на процесот на згуснување е мала и може да се произведуваат производи со прецизни димензии. Сепак, присуството на големо количество SiC во синтеруваното тело ги влошува перформансите на висока температура на реакционите синтерувани SiC керамики.

Силкониран силициум карбид без притисок

Силикон карбид без притисок (SSiC) е особено лесна и во исто време тврда керамика со високи перформанси. SSiC се карактеризира со висока јачина, која останува речиси константна дури и при екстремни температури.

Рекристален силициум карбид

Рекристализиран силициум карбид (RSiC) се материјали од следната генерација формирани со мешање на груб прашок од силициум карбид со висока чистота и фин прашок од силициум карбид со висока активност, а по фугирањето, вакуумско синтерување на 2450 ° C за рекристализирање.