Држач за нафора за офорт на ICP

ICP држачот за нафора за офорт на Semicorex е совршено решение за процеси на ракување со нафора со висока температура, како што се епитаксија и MOCVD. Со стабилна отпорност на оксидација на висока температура до 1600°C, нашите носачи обезбедуваат рамномерни термички профили, модели на ламинарен проток на гас и спречуваат контаминација или дифузија на нечистотии.

Испрати барање

Опис на производот

Барате доверлив добавувач на носачи на нафора за вашата опрема за епитакси? Не гледајте подалеку од Semicorex. Нашиот држач за нафора за офорт ICP е дизајниран специјално за средини за чистење со висока температура и сурово хемиско чистење. Со префинет SiC кристален слој, нашите носачи обезбедуваат супериорна отпорност на топлина, дури и топлинска униформност и издржлива хемиска отпорност.
Нашиот држач за нафора за офорт ICP е дизајниран да го постигне најдобриот ламинарен проток на гас, обезбедувајќи рамномерност на термичкиот профил. Ова помага да се спречи каква било контаминација или дифузија на нечистотии, обезбедувајќи висококвалитетен епитаксијален раст на чипот на нафора.
Контактирајте не денес за да дознаете повеќе за нашиот држач за нафора за офортирање ICP.

Параметри на држач за нафора за офорт на ICP

Главни спецификации на CVD-SIC облогата
Својства на SiC-CVD
Кристална структура	FCC β фаза
Густина	g/cm ³	3.21
Цврстина	Викерс цврстина	2500
Големина на зрно	μm	2~10
Хемиска чистота	%	99.99995
Топлински капацитет	J kg-1 K-1	640
Температура на сублимација	℃	2700
Фелексурална сила	MPa (RT 4-точка)	415
Модул на Јанг	Gpa (свиткување 4 точки, 1300℃)	430
Термичка експанзија (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Топлинска спроводливост	(W/mK)	300