Дома > Производи > Обложено со силициум карбид > MOCVD сусцептор > MOCVD сусцептор за епитаксијален раст

Производи

MOCVD сусцептор за епитаксијален раст

MOCVD сусцептор за епитаксијален раст

Semicorex е водечки снабдувач и производител на MOCVD Susceptor за епитаксијален раст. Нашиот производ е широко користен во полупроводничките индустрии, особено во растот на епитаксијалниот слој на чипот на нафора. Нашиот сусцептор е дизајниран да се користи како централна плоча во MOCVD, со дизајн во форма на запчаник или прстен. Производот има висока отпорност на топлина и корозија, што го прави стабилен во екстремни средини.

Испрати барање

Опис на производот

Една од предностите на нашиот MOCVD сусцептор за епитаксијален раст е неговата способност да обезбеди обложување на целата површина, избегнувајќи лупење. Производот има отпорност на оксидација на висока температура, што обезбедува стабилност при високи температури до 1600°C. Високата чистота на нашиот производ се постигнува преку CVD хемиско таложење на пареа во услови на хлорирање на висока температура. Густата површина со фини честички гарантира дека производот е високо отпорен на корозија од киселина, алкали, сол и органски реагенси.
Нашиот MOCVD Susceptor за епитаксијален раст е дизајниран да ја постигне најдобрата шема на ламинарен проток на гас, обезбедувајќи рамномерност на термичкиот профил. Ова помага да се спречи каква било контаминација или дифузија на нечистотии, обезбедувајќи висококвалитетен епитаксијален раст на чипот на нафора.
Контактирајте нè денес за да дознаете повеќе за нашиот MOCVD Susceptor за епитаксијален раст.


Параметри на MOCVD сусцептор за епитаксијален раст

Главни спецификации на CVD-SIC облогата

Својства на SiC-CVD

Кристална структура

Фаза FCC β

Густина

g/cm ³

3.21

Цврстина

Викерс цврстина

2500

Големина на зрно

¼ м

2~10

Хемиска чистота

%

99.99995

Топлински капацитет

J·kg-1·K-1

640

Температура на сублимација

2700

Фелексурална сила

MPa (RT 4-точка)

415

Модул на Јанг

Gpa (свиткување од 4 точки, 1300)

430

Термичка експанзија (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Топлинска спроводливост

(W/mK)

300


Карактеристики на MOCVD Susceptor за епитаксијален раст

- Избегнувајте лупење и обезбедете премачкување на целата површина
Отпорност на оксидација на високи температури: Стабилен на високи температури до 1600°C
Висока чистота: направена со CVD хемиско таложење на пареа под услови на хлорирање со висока температура.
Отпорност на корозија: висока цврстина, густа површина и фини честички.
Отпорност на корозија: киселина, алкали, сол и органски реагенси.
- Постигнете ја најдобрата шема на ламинарен проток на гас
- Гарантира рамномерност на термичкиот профил
- Спречете секаква контаминација или дифузија на нечистотии




Жешки тагови: МОЦВД сусцептор за епитаксијален раст, Кина, производители, добавувачи, фабрички, приспособени, масовно, напредни, издржливи

Поврзана категорија

Испрати барање

Ве молиме слободно дајте го вашето барање во формата подолу. Ќе ви одговориме за 24 часа.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept