Sic Carrier за ICP

Инженерски за да се исполнат бескомпромисните барања на модерните индуктивно опкружени алатки и алатки за таложење, графит -превозникот на Semicorexsic за ICP обезбедува ретка рамнотежа на еластичност на плазмата, термичка прецизност и механичка стабилност. Во неговото јадро лежи комерцијална, мала графитна подлога, чија кристална ориентација е цврсто контролирана за да се произведе извонредно анизотропско однесување: во - рамнината термичка спроводливост далеку ги надминува конвенционалните изостатски оценки, додека патеката низ авионот останува намерно умерено за да ги потисне жаризните точки точки. Ова насочено управување со протокот на топлина гарантира дека секој умре низ нафта од 150 мм до 300мм доживува униформа температурна рампа и стабилна состојба на рамнотежа, директно преведувајќи во потесна дистрибуција на критична димензија (ЦД) и повисоки приноси на уредот.

Завиткано околу овој ултра -временски графит е конформален силиконски - карбид слој ко -отпорен во печка за високо -температа CVD. СИЦ облогата - хемиски инертен до 2.000 ° C и може да се пофали со микро -порозност помала од 0,1% - формира непропустлив штит против радикали на флуор, хлор и бром, вообичаени кај хемикалии со висока густина на ICP. Тестирањето на издржливост на долга диритација во CF₄/O₂, CL₂/BCL₃ и HBR/He плазмите покажаа стапки на ерозија под 0,3 μmper100 часа, проширувајќи го животот на услугите на превозникот далеку над нормите во индустријата и драстично го намалува превентивното застој за одржување.

Димензионалната прецизност е подеднакво некомпромитирана: Површинската рамност е контролирана во ± 5 мм низ целата џебна област, додека карактеристиките на исклучување на работ се ласерски - обликувани за да го заштитат периметарот на нафора од микро -армирање. Тесна толеранција, во комбинација со цврстината на SIC облогата на облогата, се спротивставува на генерирање на честички под механичко стегање и електростатско велосипедизам за чистење, зачувување на процесите на јазол под 10nm од загадување на дефекти на убијците. За реакторите со висока моќност на ICP, ниската електрична отпорност на носачот (<40 Ω · m) промовира брза стабилизација на рамнината на RF -теренот, минимизирајќи ги флуктуациите на напон на обвивката, кои инаку можат да ги еродираат профилите на фоторезистот или да предизвикаат микро -маскирање.

Секоја серија на Semicorex превозници се подложува на сеопфатна метрологија - Раман мапирање за да се потврди графитниот кристалографски усогласување, SEM -пресекот на пресекот за да се потврди интегритетот на слојот на SIC и анализата на преостанатите гас за да се потврдат прагот на нечистотии на PPM. Бидејќи ние инсистираме на микро -лоши производство (помалку од 20 парчиња по трчање), графиконите за контрола на статистичките процеси остануваат исклучително тесни, овозможувајќи ни да гарантираме репродуктивност на нафора - до - се репродуктивноста со која добавувачите на масовни маркети едноставно не можат да одговараат. Прилагодените геометрии, длабочините на џебот и каналите за ладење на задниот дел се достапни со време на олово, кратко од три недели, овластувајќи ги OEM -овите и високи миксни фабрика за да ги оптимизираат рецептите за комори без да ги редизајнираат целиот хардверски магацини.

Со обединување на анизотропниот графит со светска класа со херметички сик оклоп, Semicorex SIC носачот за ICP обезбедува Fabs со долгогодишна, загадување - оддалечена и термички униформа платформа - една што не само што ги издржи најострите плазма опкружувања, туку активно ги подобрува процесите на прозорецот и перформансите на прозорецот. За производителите на уреди кои се стремат кон постојано построги линии, построги профили и пониска цена на сопственост, тоа е превозникот на изборот каде што секој микрон, секој нафора и секој час се брои време.