ICP компонента обложена со SiC

Компонентата ICP обложена со SiC на Semicorex е специјално дизајнирана за процеси на ракување со нафора со висока температура како што се епитаксија и MOCVD. Со префинет SiC кристален слој, нашите носачи обезбедуваат супериорна отпорност на топлина, дури и топлинска униформност и издржлива хемиска отпорност.

Испрати барање

Опис на производот

ICP компонентата обложена со SiC на Semicorex е најдобриот избор за процеси на ракување со нафора кои бараат висока температура и хемиска отпорност. Нашите носачи обезбедуваат дури и термички профили, модели на ламинарен проток на гас и спречуваат контаминација или дифузија на нечистотии благодарение на нашиот фин SiC кристал. Со префинет SiC кристален слој, нашите носачи обезбедуваат супериорна отпорност на топлина, дури и топлинска униформност и издржлива хемиска отпорност.
Во Semicorex, ние се фокусираме на обезбедување висококвалитетни, економични производи за нашите клиенти. Нашата ICP компонента обложена со SiC има предност во цената и се извезува на многу европски и американски пазари. Наша цел е да бидеме ваш долгорочен партнер, обезбедувајќи производи со постојан квалитет и исклучителна услуга за клиентите.
Контактирајте не денес за да дознаете повеќе за нашата компонента ICP обложена со SiC.

Параметри на ICP компонента обложена со SiC

Главни спецификации на CVD-SIC облогата
Својства на SiC-CVD
Кристална структура	FCC β фаза
Густина	g/cm ³	3.21
Цврстина	Викерс цврстина	2500
Големина на зрно	μm	2~10
Хемиска чистота	%	99.99995
Топлински капацитет	J kg-1 K-1	640
Температура на сублимација	℃	2700
Фелексурална сила	MPa (RT 4-точка)	415
Модул на Јанг	Gpa (свиткување 4 точки, 1300℃)	430
Термичка експанзија (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Топлинска спроводливост	(W/mK)	300