Производи

Носач за офорт со ICP обложен Semicorex SiC, дизајниран специјално за опрема за епитаксија со висока отпорност на топлина и корозија во Кина. Нашите производи имаат добра ценовна предност и покриваат многу европски и американски пазари. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер во Кина.

Носачите на нафора што се користат во епиксијалниот раст и обработката на обланда мора да издржат високи температури и грубо хемиско чистење. Semicorex SiC обложен носач за офорт PSS дизајниран специјално за овие тешки апликации за опрема за епитаксија. Нашите производи имаат добра ценовна предност и покриваат многу европски и американски пазари. Со нетрпение очекуваме да станеме ваш долгогодишен партнер во Кина.

Semicorex SiC обложена буричка чувствителност за LPE епитаксиален раст е производ со високи перформанси дизајниран да обезбеди постојани и сигурни перформанси во подолг период. Неговиот рамномерен термички профил, шемата на ламинарен проток на гас и спречување на контаминација го прават идеален избор за раст на висококвалитетни епитаксијални слоеви на чиповите на нафора. Неговата приспособливост и економичноста го прават висококонкурентен производ на пазарот.

Ако барате графит сензор со високи перформанси за употреба во апликации за производство на полупроводници, идеалниот избор е Semicorex SiC обложениот графит со барел. Неговата исклучителна топлинска спроводливост и својства за дистрибуција на топлина го прават вистинскиот избор за сигурни и постојани перформанси во високи температури и корозивни средини.

Со својата висока точка на топење, отпорност на оксидација и отпорност на корозија, Semicorex SiC-обложениот кристален сусцептор за раст е идеален избор за употреба во апликации за раст на еден кристал. Нејзината обвивка од силициум карбид обезбедува одлични својства на плошност и дистрибуција на топлина, што го прави идеален избор за средини со висока температура.

Со својата одлична густина и топлинска спроводливост, Semicorex Durable SiC-обложена барел Susceptor е идеален избор за употреба во епитаксијални процеси и други апликации за производство на полупроводници. Неговиот SiC слој со висока чистота обезбедува супериорни својства за заштита и дистрибуција на топлина, што го прави главен избор за сигурни и постојани резултати.