Поли-Си надворешни прстени за офорт

Обично позициониран околутуш кабина, Надворешниот прстен Poly-Si делува како поврзувачки дел помеѓу прстенот за издувните гасови и тушот. Работи во соработка соелектростатско чак, тушот Si, прстенот за фокусирање Si, прстенот за издувните гасови Si и заштитниот прстен Si, создавајќи стабилна и сигурна средина за процесот за работа со високопрецизно офортување.

Предности на Semicorex поли-Si надворешните прстени за офорт

Семикорекс поли-Si надворешните прстени за офорт се прецизно произведени од висококвалитетен полисилициум, обезбедувајќи ги следниве одлични карактеристики.

1. Висока чистота и ниска содржина на честички

2.Супериорна отпорност на висока температура и висока отпорност на термички шок

3.Сигурна отпорност на корозија

4.Exceptional електрични перформанси и висока електрична спроводливост униформност

Функции на Semicorex поли-Si надворешни прстени за офорт

1. Стабилни перформанси за заземјување

Користени за заземјување и заштита на електродата, надворешните прстени Semicorex poly-Si за офорт можат да избегнат статичка акумулација, како и оштетување на лакот и да обезбедат стабилна работа на системот на електродата, совршено задоволувајќи ги барањата на процесот за напредно производство на 3D NAND.

2. Сигурна поддршка

Семикорекс поли-Si надворешните прстени за офорт служат како основни компоненти што ги поврзуваат прстенот за издувните гасови и тушот. Тие обезбедуваат сигурна механичка поддршка на двата дела и ги одржуваат стабилно поставени на соодветно место. Дополнително, употребата на надворешните прстени Semicorex poly-Si за офорт може да спречи ерозија на плазмата на комората за офорт, што на тој начин ефикасно обезбедува стабилно извршување на операцијата на офорт.

3. Компатибилност со процесот на офорт

Семикорекс поли-Si надворешните прстени за офорт имаат ниска содржина на нечистотии и исклучителна отпорност на корозија, обезбедувајќи одлична компатибилност со производството на силиконски наполитанки, што во голема мера ги намалува дефектите на обландите предизвикани од гравираната нуспроизвод контаминација и значително обезбедува висока стапка на принос во производството на полупроводници.