Прстен од силиконски штит

Прстенот на силиконскиот штит Semicorex е критична полупроводничка компонента во процесот на офорт. Неговата примарна функција е да ја опкружува електродата и да спречи прекумерно истекување на плазмата. Со материјална чистота што надминува 9N (99,9999999%), заштитниот прстен може да биде направен и од еднокристален и од повеќекристаленсиликон, обезбедувајќи ултра чиста работа и сигурна компатибилност со напредните процеси на производство на полупроводници.

Точната контрола на плазмата во процесот на офорт CCP/ICP е од суштинско значење за ефективна, униформа стапка на офорт и квалитет на нафора. Неконтролираното истекување на плазмата надвор од саканата област за офорт може да создаде површинска ерозија и контаминација или да ги оштети компонентите внатре во комората. Силиконскиот заштитен прстен е ефикасно, едноставно решение за овој проблем, создаден за да формира заштитна бариера на надворешниот периметар на електродата, да ја спречи плазмата да се шири надвор од целната област и да го ограничи офортувањето само на саканата област. Силиконскиот заштитниот прстен делува и како надворешна електрода за стабилизирање на дистрибуцијата на плазмата и овозможување на подеднаква енергија на површината на обландата.

Термичките и електричните својства на силиконот дополнително ја поддржуваат работата на Etching Shield Ring. Неговата отпорност на високи температури на процесот обезбедува структурен интегритет при продолжено изложување на плазма, а неговата електрична спроводливост овозможува компонентата да работи правилно како елемент во системот на електродата. Заедно, овие апликации го подобруваат ограничувањето на плазмата и ја подобруваат енергетската униформност, што овозможува повторливи профили за офорт низ обландите.

Механичката толеранција е уште една забележителна карактеристика на Силиконскиот штитник за офорт. Со тоа што е произведен на тесни толеранции, тој обезбедува точно позиционирање околу електродата и го одржува растојанието и геометријата на комората. Оваа механичка прецизност генерира повторливи услови на процесот за помала варијабилност помеѓу поединечните работи и помага да се овозможи производство на полупроводници со голем волумен. Самиот материјал има одлична компатибилност со плазма средини; затоа еродирањето на неговата структура му овозможува вообичаено да обезбеди долг работен век и стабилност во перформансите на процесот.

Трајноста и ефективноста на трошоците се уште две вредни придобивки. Заштитувајќи ги непотребните делови од комората од плазмата, заштитниот прстен го намалува абењето на другите критични компоненти, што ги намалува напорите за одржување и го зголемува целокупното оперативно време. Долгиот работен век и поретката замена го прават економично решение за полупроводнички фабрики за зголемување на продуктивноста и со тоа намалување на оперативните трошоци.

НаСиликонЗаштитниот прстен, исто така, може да се прилагоди за секоја конфигурација на алатот и спецификациите на процесот, бидејќи тие се достапни во неколку големини и геометрии за да се приспособат на многуте различни комори за офорт со плазма што ги произведуваат, а сепак да се постигне оптимално вклопување. Дополнително, површинските третмани и полирањето може да се користат за дополнително намалување на создавањето честички за стандарди за ултра чисто производство.