Брод со нафора SiSiC

Во конкурентниот пејзаж на производство на полупроводници и соларни ќелии, балансирањето на пропусната моќ со долговечноста на компонентите е од суштинско значење. НашиотSiSiC Wafer Boat се дизајнирани да бидат „индустриски работник“ за операции со печки на висока температура. Со користење на процесот на реакциско поврзување, ние испорачуваме носач кој нуди супериорна механичка сила и отпорност на термички удар во споредба со традиционалниот кварц и стандардната керамика.

Наука за SiSiC: Зошто е важно поврзувањето на реакцијата

За разлика од синтеруваниот SiC, кој се формира преку консолидација на прав под висок притисок,Брод со нафора SiSiC се произведува со инфилтрирање на порозна јаглеродна преформа со стопен силициум. Овој процес на „Сврзување со реакција“ резултира со материјал со речиси нула собирање за време на производството, што овозможува производство на сложени архитектури на брод од големи размери со неверојатна димензионална прецизност.

1. Супериорна отпорност на термички удар

Еден од најкритичните предизвици во сериската обработка е брзиот циклус на „туркање-влечење“ на печката. Кварцните носачи често пукаат под термички стрес. SiSiC поседува значително поголем модул на кинење (MOR) и одлична топлинска спроводливост. Ова им овозможува на нашите чамци да издржат брзо зголемување на температурата без ризик од структурен дефект, што директно се преведува на помалку време на прекин на опремата.

2. Голема носивост на температура

Како што се зголемуваат големини на нафора и сериите стануваат поголеми за да се максимизира пропусната моќ, тежината на носачот се зголемува. Нашите SiSiC чамци покажуваат исклучителна отпорност на лази. Додека другите материјали може да попуштат или искривуваат при тешки товари на 1.250°C, SiSiC ја одржува својата геометрија, осигурувајќи дека паралелизмот на отворот за обланда останува совршен во текот на илјадници циклуси.

3. Хемиска инертност и површински интегритет

Нашите SiSiC чамци се дизајнирани за сурови хемиски средини. Материјалот е инхерентно отпорен на корозивни гасови што се користат во процесите на LPCVD и дифузија. Понатаму, површината е обработена за да се осигури дека нема миграција на „бесплатен силикон“, обезбедувајќи стабилна, чиста средина која го штити електричниот интегритет на вашите наполитанки.

Технички спецификации: SiSiC Performance Matrix

Оптимизиран за глобалните стандарди за производство

Нашите SiSiC Wafer Boat се компатибилни со водечките OEM за печки во светот, вклучувајќи ги TEL (Tokyo Electron), ASM и Kokusai Electric. Обезбедуваме приспособени решенија за:

Хоризонтални дифузни печки: чамци со долга должина со високопрецизни отвори за наполитанки од 150 mm и 200 mm.

Вертикални системи на печки: дизајни со ниска маса кои го оптимизираат протокот на гас и топлинската униформност.

Производство на соларни PV ќелии: Специјализирани SiSiC носачи дизајнирани за дифузија на POCl3 со голем волумен, нудејќи работен век 5-10 пати подолг од кварцот.

Експертски увид: за процеси кои надминуваат 1.380°C, ја препорачуваме нашата линија Sintered SiC. Сепак, за огромното мнозинство на чекори за дифузија, оксидација и LPCVD, SiSiC обезбедува најекономичен сооднос помеѓу перформансите и животниот век во индустријата.

Зошто да соработувате со нас?

Експертиза за материјалот: За нашиот процес на реакциско поврзување набавуваме само прашок со алфа-SiC со висока чистота и силикон од електронско ниво.

Прецизно инженерство: Нашите CNC способности за мелење овозможуваат толеранции на отворите во рамките на ± 0,02 mm, намалувајќи ги вибрациите и кршењето на обландата.

Одржливост и рентабилност: со префрлање од кварц на SiSiC, фабриките обично забележуваат 40% намалување на годишното трошење на потрошен материјал поради значително намалената фреквенција на замена.

Секој брод што го испраќаме е придружен со сертификат за усогласеност (CoC) и извештај за целосна димензионална инспекција, со што се осигурува дека вашиот процесен комплет е подготвен за итна инсталација во чиста просторија.