Индуктивно загреан барел Epi систем за LPE Epitaxy

Ако ви треба графитен сензор со исклучителни својства на топлинска спроводливост и дистрибуција на топлина, не гледајте подалеку од Semicorex Inductively Heated Barrel Epi System за LPE Epitaxy. Нејзиниот SiC слој со висока чистота обезбедува супериорна заштита во високи температури и корозивни средини, што го прави идеален избор за употреба во апликации за производство на полупроводници.

Испрати барање

Опис на производот

Семикорекс индуктивно загреан буре Epi системот за LPE Epitaxy е совршен избор за апликации за производство на полупроводници кои бараат исклучителна дистрибуција на топлина и топлинска спроводливост. Неговиот SiC премаз со висока чистота и супериорната густина обезбедуваат супериорни својства за заштита и дистрибуција на топлина, обезбедувајќи сигурни и постојани перформанси дури и во најпредизвикувачките средини.

Во Semicorex, ние се фокусираме на обезбедување висококвалитетни, економични производи за нашите клиенти. Нашиот систем за индуктивно загреан буриња Epi за LPE Epitaxy има предност во цената и се извезува на многу европски и американски пазари. Наша цел е да бидеме ваш долгорочен партнер, обезбедувајќи производи со постојан квалитет и исклучителна услуга за клиентите.

Параметри на индуктивно загреан барел Epi систем за LPE епитаксија

Главни спецификации на CVD-SIC облогата
Својства на SiC-CVD
Кристална структура	Фаза FCC Î²
Густина	g/cm ³	3.21
Цврстина	Викерс цврстина	2500
Големина на зрно	¼ м	2~10
Хемиска чистота	%	99.99995
Топлински капацитет	J·kg-1·K-1	640
Температура на сублимација	℃	2700
Фелексурална сила	MPa (RT 4-точка)	415
Модул на Јанг	Gpa (свиткување 4 точки, 1300)	430
Термичка експанзија (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Топлинска спроводливост	(W/mK)	300

Карактеристики на индуктивно загреан барел Epi систем за LPE Epitaxy

- И графитната подлога и слојот од силициум карбид имаат добра густина и можат да играат добра заштитна улога во високи температури и корозивни работни средини.

- Степенот обложен со силициум карбид кој се користи за раст на единечни кристали има многу висока плошност на површината.

- Намалете ја разликата во коефициентот на термичка експанзија помеѓу графитната подлога и слојот од силициум карбид, ефикасно да ја подобрите јачината на врзувањето за да спречите пукање и раслојување.

- И графитната подлога и слојот од силициум карбид имаат висока топлинска спроводливост и одлични својства за дистрибуција на топлина.

- Висока точка на топење, отпорност на висока температура на оксидација, отпорност на корозија.